3/6/8 寸PZT压电晶圆
- 取向：（100）
- PZT厚度：1-3μm
- 均匀性：±4%
- 沉积速率：4μm/h
- |e31,f|：12-15C/m2
- d33：300pC/N
- 应力：＜80Mpa
- 击穿电场：80V/μm
- 介电常数：800-1200
- 介电损耗：3%
- 衬底：Si/SOI/Glass
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